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SQJ409EP-T1_GE3

发布时间2022-4-25 14:11:00关键词:SQJ409EP-T1_GE3
摘要

威世 21+ 3000

SQJ409EP-T1_GE3

VISHAY/威世

封装

PAKSO-8

批次

21+

数量

3000

制造商

Vishay

产品种类

MOSFET

RoHS

技术

Si

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

PowerPAK-SO-8-4

晶体管极性

P-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Id-连续漏极电流

60 A

Rds On-漏源导通电阻

7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

20 V

Vgs th-栅源极阈值电压

2 V

Qg-栅极电荷

170 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 175 C

Pd-功率耗散

68 W

通道模式

Enhancement

资格

AEC-Q101

商标名

TrenchFET

配置

Single

系列

SQ

商标

Vishay Semiconductors

下降时间

12 ns

产品类型

MOSFET

上升时间

18 ns

工厂包装数量

3000

子类别

MOSFETs

典型关闭延迟时间

75 ns

典型接通延迟时间

23 ns

单位重量

506.600 mg

可售卖地

全国

型号

SQJ409EP-T1_GE3

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